Ringkasan cerita
- Produsen semikonduktor memori terbesar di Tiongkok, ChangXin Memory Technologies (CXMT), resmi mengumumkan bahwa platform teknologi DRAM generasi kelimanya telah memasuki tahap produksi massal penuh pada Minggu (20/9/2026).
- Perusahaan berhasil mempersempit jarak struktur penyimpanan sel memori hingga mencapai 11,95 nanometer menggunakan teknologi pola berulang quadruple patterning (QTP) guna menyiasati pembatasan ekspor mesin litografi ultraviolet ekstrem (EUV).
- Bersamaan dengan peluncuran platform baru tersebut, CXMT merilis dua produk memori hemat daya LPDDR5X berkapasitas 24 gigabit untuk perangkat ponsel pintar kelas atas dan akselerasi AI mobile.
- Platform generasi kelima ini diklaim mampu meningkatkan hasil cetak kotor die chip per wafer silikon hingga lebih dari 50 persen dibandingkan platform generasi keempat sebelumnya.
Industri semikonduktor global kembali dikejutkan oleh lonjakan kemandirian manufaktur Tiongkok setelah ChangXin Memory Technologies (CXMT) mengumumkan bahwa platform teknologi DRAM (Dynamic Random-Access Memory) generasi kelimanya telah resmi memasuki fase produksi massal komersial penuh.[1]
Pencapaian strategis tersebut diumumkan langsung oleh Wakil Presiden sekaligus Kepala Pusat Pemasaran CXMT, Luo Xiaodong, dalam perhelatan akbar 2026 World Manufacturing Convention yang berlangsung di Hefei, Minggu (20/9/2026).[1][2]
Terobosan litografi: teknik quadruple patterning 11,95 nm
Di tengah pembatasan ekspor mesin litografi mutakhir oleh negara-negara barat, CXMT membuktikan kemampuan rekayasa teknisnya dengan mempersempit jarak struktur inti sel penyimpanan data hingga ke angka 11,95 nanometer (setara sekitar 12 per miliar meter).[1][3]
Pencapaian pada skala sub-12 nm tersebut diraih dengan memanfaatkan teknik quadruple patterning (QTP)—sebuah metode litografi multi-eksposur yang mengulang beberapa tahapan pencetakan secara presisi guna menghasilkan pola sirkuit yang jauh lebih rapat tanpa bergantung pada mesin EUV tercanggih.[1][2] Melalui simulasi komputasi mendalam dan kolaborasi bersama produsen peralatan lokal, CXMT mengklaim kapabilitas prosesnya kini berada pada level yang setara dengan node manufaktur massal paling mutakhir di dunia.[1][2]
Peluncuran chip LPDDR5X 24Gb untuk perangkat cerdas
Bersamaan dengan debut komersial platform generasi ke-5, produsen yang berbasis di Hefei tersebut memperkenalkan dua lini produk memori hemat daya mutakhir LPDDR5X berkapasitas 24 gigabit (Gb).[1]
Karakteristik keunggulan dari chip baru ini meliputi:[1][2]
- Densitas data lebih tinggi: Masing-masing chip mampu menampung 50% lebih banyak volume data dibanding generasi memori setara sebelumnya dari CXMT.[1]
- Efisiensi daya dan kinerja: Dirancang khusus guna memenuhi kebutuhan ponsel pintar generasi baru dan komputasi model AI lokal (on-device AI).[1]
- Pilihan kemasan fleksibel: Disediakan dalam dua format bentuk kemasan berbeda untuk mempermudah integrasi oleh beragam pabrikan OEM gawai pintar.[1]
- Peningkatan wafer output: Platform baru ini mampu memproduksi sedikitnya 50% lebih banyak gross chip dies per wafer silikon dibanding arsitektur generasi keempat perusahaan.[1][2]
Langkah ekspansi CXMT ini dinilai kalangan analis akan memberikan alternatif pasokan penting bagi rantai pasok elektronik konsumen global, sekaligus memperketat persaingan dengan tiga raksasa memori dunia yang selama ini mendominasi pasar: Samsung Electronics, SK Hynix, dan Micron Technology.[1][3]
Riwayat pembaruan
- 20 September 2026 (19:30 WIB): Laporan awal diterbitkan mencakup rilis resmi produksi massal DRAM generasi ke-5 CXMT di World Manufacturing Convention 2026 Hefei, rincian teknis proses QTP 11,95 nm, serta peluncuran memori LPDDR5X 24Gb.
Sources
[1] https://www.reuters.com/article/idUSKBN3V603S — China’s CXMT says new memory-chip platform enters mass production [2] https://finance.biggo.com/news/cda06052-f559-4b73-bdc8-f59a9db70289 — China’s CXMT Begins Mass Production of 5th-Gen DRAM Process Platform [3] https://www.thenews.com.pk/latest/1416921-chinas-cxmt-closes-dram-gap-with-rivals — China’s CXMT closes DRAM gap with rivals
Yang sudah terverifikasi
- Wakil Presiden sekaligus Kepala Pusat Pemasaran CXMT Luo Xiaodong mengumumkan pencapaian produksi massal platform generasi kelima pada ajang 2026 World Manufacturing Convention di Hefei, Provinsi Anhui, Tiongkok, pada Minggu (20/9/2026).
- CXMT memangkas jarak fitur kritis penyimpanan data memori menjadi 11,95 nm (sekitar 12 per miliar meter) dengan teknik quadruple patterning berulang.
- Dua varian produk memori LPDDR5X 24Gb diluncurkan dalam dua jenis format kemasan untuk berbagai desain ponsel pintar dan gawai portabel, menawarkan kapasitas 50 persen lebih besar dari produk generasi terdahulu.
- Peningkatan efisiensi produksi menghasilkan lonjakan lebih dari 50% *gross chip dies per wafer* berdasarkan tolok ukur kapasitas dasar 8 gigabit.
Yang masih belum jelas
- Tingkat persentase hasil panen bersih (*net yield rate*) komersial wafer yang tidak cacat setelah proses manufaktur multi-patterning kompleks tersebut.
- Tingkat adopsi langsung merek ponsel pintar internasional di luar pasar domestik Tiongkok di tengah pengawasan ketat regulasi rantai pasok global.
Percakapan dan penyebaran
Pengumuman yang disampaikan langsung pada konferensi manufaktur global di Hefei diberitakan secara luas oleh Reuters, media finansial internasional, analis industri semikonduktor, serta berbagai forum teknologi perangkat keras dunia seperti TechPowerUp dan BigGo Finance.